« Le transistor bipolaire » : différence entre les versions
mAucun résumé des modifications |
mAucun résumé des modifications |
||
| Ligne 23 : | Ligne 23 : | ||
[[Fichier:Amplification transistor.png|sans_cadre|190x190px]] | [[Fichier:Amplification transistor.png|sans_cadre|190x190px]] | ||
Nous allons prendre un exemple avec un Microcontrôleur de type [[ESP32]]. Les sorties numériques sont au maximum capables de délivrer 40mA mais on voudrait allumer une belle LED AMS OSRAM GROUP KW DSLP31.CC-GXHX-4J8K-Z444. Elle s'allume avec un courant de | Nous allons prendre un exemple avec un Microcontrôleur de type [[ESP32]]. Les sorties numériques sont au maximum capables de délivrer 40mA mais on voudrait allumer une belle LED AMS OSRAM GROUP KW DSLP31.CC-GXHX-4J8K-Z444. Elle s'allume avec un courant de 40mA. Les 40 mA de l'ESP32 sont donc limites surtout si on utilise plusieurs. | ||
On va décider d'utiliser la LED aux 2/3 de sa luminosité, 66mA car le datasheet du transistor BC547 nous dit '''''I'''''ce ne doit pas dépasser 100mA | On va décider d'utiliser la LED aux 2/3 de sa luminosité, 66mA car le datasheet du transistor BC547 nous dit '''''I'''''ce ne doit pas dépasser 100mA | ||
| Ligne 30 : | Ligne 30 : | ||
[[Fichier:Schema LED.png|alt=schema NPN 1|sans_cadre|468x468px]] | [[Fichier:Schema LED.png|alt=schema NPN 1|sans_cadre|468x468px]] | ||
Il faut donc que 40 mA passent dans D1. | |||
* La tension aux bornes E-C du transistor = 0.6 V (datasheet) | |||
* La tension entre Vcc et le Collecteur est de 3.3 - 0.6 V soit 2.7 V | |||
Grâce à la loi d'ohm U=R I on calcule R = U/I | |||
R1=2.7/0.04 = 67 Ω. | |||
L'amplification de courant est donnée par le paramètre β du transistor ou [[Fichier:HFE.png|sans_cadre|39x39px]]comme on trouve dans les datasheets. Dans notre cas on a [[Fichier:HFE.png|sans_cadre|39x39px]]=110 | |||
Donc Ice=β·Ibe. | |||
Ibe=Ice/β | |||
Ibe=0.04/110 soit 0.36 mA | |||
Vbe=0.7 V | |||
R2=(3.3-0.7)/0.000036=7.1 K | |||
Version du 2 juin 2024 à 21:57
La base de l'électronique!
La page WIkipedia est excellente, il y a tout! Peut être un peu trop tout. Je seulement mettre ici ce qui a été nécessaire à la conception de mes circuits.
En mode saturé/bloqué
Si, comme moi, vous vous intéressez essentiellement à l'électronique logique c'est ce qui nous intéressera. Plusieurs exemples d'utilisations :
- On à un signal issue d'un microcontrôleur trop faible (en intensité) pour l'utilisation désirée (Un relai, une LED haute luminosité etc..)
- On a un signal logique de très bas niveau (0-1V par exemple) que l'ou souhaite lire avec le même microcontrôleur dont les seuils sont aux alentours de 3V.
Il y a deux types de transistors NPN et PNP. La page Wikipédia nous explique tout cela. Je me limiterais au NPN et en particulier le BC547 qui est un grand classique (avec le 2N2222).
Un transistor ça ressemble à ça :
ET c'est schématisé par :
ou bien 
L'idée du composant est d'amplifier un courant. Le courant de C (Collecteur) à E (Emetteur) est β fois plus grand que le courant passant entre B (Base) et E.
Nous allons prendre un exemple avec un Microcontrôleur de type ESP32. Les sorties numériques sont au maximum capables de délivrer 40mA mais on voudrait allumer une belle LED AMS OSRAM GROUP KW DSLP31.CC-GXHX-4J8K-Z444. Elle s'allume avec un courant de 40mA. Les 40 mA de l'ESP32 sont donc limites surtout si on utilise plusieurs.
On va décider d'utiliser la LED aux 2/3 de sa luminosité, 66mA car le datasheet du transistor BC547 nous dit Ice ne doit pas dépasser 100mA
Le schéma ressemble à ça:
Il faut donc que 40 mA passent dans D1.
- La tension aux bornes E-C du transistor = 0.6 V (datasheet)
- La tension entre Vcc et le Collecteur est de 3.3 - 0.6 V soit 2.7 V
Grâce à la loi d'ohm U=R I on calcule R = U/I
R1=2.7/0.04 = 67 Ω.
L'amplification de courant est donnée par le paramètre β du transistor ou 
comme on trouve dans les datasheets. Dans notre cas on a =110
Donc Ice=β·Ibe.
Ibe=Ice/β
Ibe=0.04/110 soit 0.36 mA
Vbe=0.7 V
R2=(3.3-0.7)/0.000036=7.1 K