« Le transistor bipolaire » : différence entre les versions
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L'idée du composant est d'amplifier un courant. Le courant de C (Collecteur) à E (Emetteur) est β fois plus grand que le courant passant entre B (Base) et E. | L'idée du composant est d'amplifier un courant. Le courant de C (Collecteur) à E (Emetteur) est β fois plus grand que le courant passant entre B (Base) et E. | ||
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On constate que le gain en courant est a peu près constant entre 0 et 100mA qui entre sur le collecteur. | |||
Nous allons prendre un exemple avec un Microcontrôleur de type [[ESP32]]. Les sorties numériques sont au maximum capables de délivrer 40mA mais on voudrait allumer une belle LED AMS OSRAM GROUP KW DSLP31.CC-GXHX-4J8K-Z444. Elle s'allume avec un courant de 40mA. | |||
On va décider d'utiliser la LED aux 2/3 de sa luminosité, 66mA car le datasheet du transistor BC547 nous dit | Les 40 mA de l'ESP32 sont donc limites surtout si on utilise plusieurs. | ||
D'autant plus que les 40mA c'est le max sur TOUS les GPIO pas sur chacun. Bref il faut amplifier. | |||
=== Allumer une LED haute luminosité === | |||
On va décider d'utiliser la LED aux 2/3 de sa luminosité, 66mA car le datasheet du transistor BC547 nous dit '''''I'''''ce ne doit pas dépasser 100mA | |||
Le schéma ressemble à ça: | Le schéma ressemble à ça: | ||
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Il faut donc que 40 mA passent dans D1. | |||
* La tension aux bornes E-C du transistor = 0.6 V (datasheet) | |||
* La tension entre Vcc et le Collecteur est de 3.3 - 0.6 V soit 2.7 V | |||
Grâce à la loi d'ohm U=R I on calcule R = U/I | |||
R1=2.7/0.04 = 67 Ω. | |||
L'amplification de courant est donnée par le paramètre β du transistor ou [[Fichier:HFE.png|sans_cadre|39x39px]]comme on trouve dans les datasheets. Dans notre cas on a [[Fichier:HFE.png|sans_cadre|39x39px]]=110 | |||
Donc Ice=β·Ibe. | |||
Ibe=Ice/β | |||
Ibe=0.04/110 soit 0.36 mA | |||
Vbe=0.7 V | |||
R2=(3.3-0.7)/0.000036=7.1 K | |||
=== Adapter le signal de sortie du comparateur === | |||
Lors de l'utilisation du [[Comparateur Numérique|comparateur numérique]] nous faisions face à un problème: la tension de sortie est de 1.6 V. Ce n'est pas assez pour faire commuter une entrée d'un l'ESP32 et encore mois d'un Arduino. | |||
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Dernière version du 25 juin 2026 à 07:03
La base de l'électronique!
La page WIkipedia est excellente, il y a tout! Peut être un peu trop tout. Je vais seulement mettre ici ce qui a été nécessaire à la conception de mes circuits.
En mode saturé/bloqué
Si, comme moi, vous vous intéressez essentiellement à l'électronique logique c'est ce qui nous intéressera. Plusieurs exemples d'utilisations :
- On à un signal issue d'un microcontrôleur trop faible (en intensité) pour l'utilisation désirée (Un relai, une LED haute luminosité etc..)
- On a un signal logique de très bas niveau (0-1V par exemple) que l'ou souhaite lire avec le même microcontrôleur dont les seuils sont aux alentours de 3V.
Il y a deux types de transistors NPN et PNP. La page Wikipédia nous explique tout cela. Je me limiterais au NPN et en particulier le BC547 qui est un grand classique (avec le 2N2222).
Un transistor ça ressemble à ça :
ET c'est schématisé par :
L'idée du composant est d'amplifier un courant. Le courant de C (Collecteur) à E (Emetteur) est β fois plus grand que le courant passant entre B (Base) et E.
On constate que le gain en courant est a peu près constant entre 0 et 100mA qui entre sur le collecteur.
Nous allons prendre un exemple avec un Microcontrôleur de type ESP32. Les sorties numériques sont au maximum capables de délivrer 40mA mais on voudrait allumer une belle LED AMS OSRAM GROUP KW DSLP31.CC-GXHX-4J8K-Z444. Elle s'allume avec un courant de 40mA.
Les 40 mA de l'ESP32 sont donc limites surtout si on utilise plusieurs.
D'autant plus que les 40mA c'est le max sur TOUS les GPIO pas sur chacun. Bref il faut amplifier.
Allumer une LED haute luminosité
On va décider d'utiliser la LED aux 2/3 de sa luminosité, 66mA car le datasheet du transistor BC547 nous dit Ice ne doit pas dépasser 100mA
Le schéma ressemble à ça:
Il faut donc que 40 mA passent dans D1.
- La tension aux bornes E-C du transistor = 0.6 V (datasheet)
- La tension entre Vcc et le Collecteur est de 3.3 - 0.6 V soit 2.7 V
Grâce à la loi d'ohm U=R I on calcule R = U/I
R1=2.7/0.04 = 67 Ω.
L'amplification de courant est donnée par le paramètre β du transistor ou
comme on trouve dans les datasheets. Dans notre cas on a
=110
Donc Ice=β·Ibe.
Ibe=Ice/β
Ibe=0.04/110 soit 0.36 mA
Vbe=0.7 V
R2=(3.3-0.7)/0.000036=7.1 K
Adapter le signal de sortie du comparateur
Lors de l'utilisation du comparateur numérique nous faisions face à un problème: la tension de sortie est de 1.6 V. Ce n'est pas assez pour faire commuter une entrée d'un l'ESP32 et encore mois d'un Arduino.
Avec LTSpice Erreur lors de la création de la vignette : Fichier manquant

